型号 SQD50P0615LGE3丝印 VBE2625品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 50A 导通电阻 20mΩ @10V, 25mΩ @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.76Vth 封装 TO252应用简介 SQD50P0615LGE3是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的高功率应用。其最大耐压为60V，最大电流为50A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 适用于高功率DCDC转换器、逆变器和电池管理系统等。2. 高效功率开关模块 可用于高功率负载开关和电源控制器。3. 电动工具 适用于驱动高功率电动工具中的负极电源控制和负载开关。总之，SQD50P0615LGE3适用于负极电压控制和负载开关等高功率应用领域的模块设计，包括电源管理、高效功率开关模块和电动工具等。
--- 产品参数 ---
- 类型 P沟道
- 最大耐压 60V
- 最大电流 50A
- 导通电阻 20mΩ @10V, 25mΩ @4.5V
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 门阈电压 1.76Vth
- 封装 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
为你推荐
-
50NF25-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 11:00
产品型号：50NF25-VB TO263 封装：TO263 沟道：Single-N -
50NF25-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:58
产品型号：50NF25-VB TO220 封装：TO220 沟道：Single-N -
50N25M5-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:57
产品型号：50N25M5-VB 封装：TO263 沟道：Single-N -
50N10-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:54
产品型号：50N10-VB 封装：TO263 沟道：Single-N -
50N10-VB TO252一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:53
产品型号：50N10-VB TO252 封装：TO252 沟道：Single-N -
50N10-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:48
产品型号：50N10-VB TO220 封装：TO220 沟道：Single-N -
50N06-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:45
产品型号：50N06-VB 封装：TO220 沟道：Single-N -
50N06-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:43
产品型号：50N06-VB TO263 封装：TO263 沟道：Single-N -
50N06-VB TO220F一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:37
产品型号：50N06-VB TO220F 封装：TO220F 沟道：Single-N -
50N06L-TN3-R-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:36
产品型号：50N06L-TN3-R-VB 封装：TO252 沟道：Single-N