型号 IRF530NPBF丝印 VBM1101M品牌 VBsemi参数说明 MOSFET类型 N沟道 额定电压(VDS) 100V 额定电流(ID) 18A 开通电阻(RDS(ON)) 127mΩ@10V, 132mΩ@4.5V 阈值电压(Vth) 2~4V 封装类型 TO220应用简介 这款IRF530NPBF MOSFET是一款高电压N沟道MOSFET，适用于高压应用场景。它具有较高的额定电压和较大的电流承载能力，适用于高功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块 电源管理模块 适用于高压开关电源、DCDC变换器、逆变器等高功率电源模块。 高功率电机控制模块 用于高压高功率直流电机驱动、步进电机驱动等电机控制模块。 高压照明模块 适用于高压高功率照明驱动和控制模块。 高压工业控制模块 适用于高压工业控制系统的功率开关和控制模块。总之，IRF530NPBF MOSFET适用于需要高电压高功率N沟道MOSFET的各种应用场景，提供稳定可靠的大电流控制和功率转换功能，特别适用于高压高功率应用的模块。
--- 产品参数 ---
- 类型 N沟道
- 额定电压(VDS) 100V
- 额定电流(ID) 18A
- (RDS(ON)) 127mΩ@10V, 132mΩ@4.5v
- 阈值电压(Vth) 2~4V
- 封装类型 TO220
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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