--- 产品参数 ---
- 频道类型 N+P沟道
- 额定电压 ±30V
- 额定电流 9A / 6A
- RDS(ON) 15mΩ / 42mΩ @ 10V,19mΩ
- 门源电压范围 ±20V
- 门源阈值电压 ±1.65V
- 封装类型 SOP8
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 C3028LD丝印 VBA5325品牌 VBsemi参数 频道类型 N+P沟道 额定电压 ±30V 额定电流 9A / 6A RDS(ON) 15mΩ / 42mΩ @ 10V,19mΩ / 50mΩ @ 4.5V 门源电压范围 ±20V 门源阈值电压 ±1.65V 封装类型 SOP8应用简介 C3028LD(丝印 VBA5325)是VBsemi公司生产的一款具有N+P沟道的MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介 详细参数说明 C3028LD具有N+P沟道的MOSFET,可用于需要同时使用N沟道和P沟道的电路。主要参数包括额定电压为±30V,额定电流为9A(N沟道) / 6A(P沟道),RDS(ON)为15mΩ / 42mΩ @ 10V,19mΩ / 50mΩ @ 4.5V,门源电压范围为±20V,门源阈值电压为±1.65V,封装类型为SOP8。应用领域 C3028LD(VBA5325)适用于多种领域和应用场景,主要用于需要N+P沟道的功率MOSFET的电路。以下是一些典型的应用领域 1. 电源管理模块 C3028LD可用于电源管理模块中,提供高效的电能转换和稳定的电流输出,改善系统的功耗和效率。2. 汽车电子系统 它适用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面,满足对高电流和高功率的要求。3. 工业控制系统 C3028LD可用于工业控制系统中的开关电路,提供可靠的电流控制与电能转换。综上所述,C3028LD(VBA5325)是一款具有N+P沟道的MOSFET,适用于电源管理模块、汽车电子系统和工业控制系统等领域模块。它具有高电压承载能力和低导通电阻,适用于需要高功率和高效能的电路。
为你推荐
-
AUF1018ES-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 15:04
产品型号:AUF1018ES-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUF1010Z-VB一种TO220封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 15:03
产品型号:AUF1010Z-VB 封装:Single-N 沟道:TO220 -
AUF1010ZS-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 15:01
产品型号:AUF1010ZS-VB 封装:Single-N 沟道:TO263 -
AUF1010ZL-VB一种TO262封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 15:00
产品型号:AUF1010ZL-VB 封装:TO262 沟道:Single-N -
AUF1010EZ-VB一种TO220封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 14:59
产品型号:AUF1010EZ-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AUF1010EZS-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 14:56
产品型号:AUF1010EZS-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AUF1010EZL-VB一种TO262封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 14:54
产品型号:AUF1010EZL-VB 封装:Single-N 沟道:TO262 -
ASM2201CTR-LF-VB一种SC70-3封装Single-P-Channel场效应管2025-01-02 14:53
产品型号:ASM2201CTR-LF-VB 封装:SC70-3 沟道:Single-P -
ARF448B-VB一种TO247封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 14:52
产品型号:ARF448B-VB 封装:TO247 沟道:Single-N -
APT8M80K-VB一种TO220封装Single-N-Channel场效应管2025-01-02 14:50
产品型号:APT8M80K-VB 封装:TO220 沟道:Single-N