--- 产品参数 ---
- 类型 P沟道
- 额定电压(VDS) 30V
- 额定电流(ID) 11A
- RDS(ON) 11mΩ@10V, 15mΩ@4.5V
- 阈值电压(Vth) 1.5V
- 封装类型 SOP8
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 FDS6673BZNL丝印 VBA2309品牌 VBsemi参数说明 MOSFET类型 P沟道 额定电压(VDS) 30V 额定电流(ID) 11A 开通电阻(RDS(ON)) 11mΩ@10V, 15mΩ@4.5V 阈值电压(Vth) 1.5V 封装类型 SOP8应用简介 这款FDS6673BZNL MOSFET是一款P沟道MOSFET,适用于需要高功率开关和控制的应用。它具有较高的额定电流和适中的额定电压能力,适用于中高功率开关和功率转换的应用。这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块 电源管理模块 适用于高功率开关电源、DCDC变换器、逆变器等高功率电源模块。 电机控制模块 适用于高功率直流电机驱动、步进电机驱动等高功率电机控制模块。 汽车电子模块 适用于汽车电池管理、照明控制、电动车控制等高功率汽车电子模块。 工业电源模块 适用于高功率工业设备中的功率开关和控制模块。总之,FDS6673BZNL MOSFET适用于需要高功率P沟道MOSFET进行中高功率开关和功率转换的各种应用场景。
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