--- 产品参数 ---
- 极性 P沟道
- 额定电压 60V
- 额定电流 38A
- RDS(ON) 61mΩ @ 10V, 72mΩ @ 4.5
- 额定栅极源极电压(V 20V (±V)
- 阈值电压(Vth) 1.3V
- 封装类型 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 2SJ245S丝印 VBE2610N品牌 VBsemi详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 60V 额定电流 38A 开通电阻(RDS(ON)) 61mΩ @ 10V, 72mΩ @ 4.5V 额定栅极源极电压(Vgs) 20V (±V) 阈值电压(Vth) 1.3V 封装类型 TO252应用简介 2SJ245S是一款P沟道MOSFET,具有高性能和稳定性,适用于各种领域的模块应用。其特点包括低开通电阻、高电流能力和宽工作电压范围。主要应用领域 1. 电源模块 2SJ245S可用于电源模块中的开关电源、DCDC转换器和逆变器。其高电流能力和低导通电阻能够提供高效的功率传输和稳定的电压输出。2. 电动工具 由于2SJ245S具有较高的电流能力和宽工作电压范围,它可应用于电动工具中的电路驱动和电流控制模块。它可以提供可靠的功率传输和高效的电池管理。3. 电动车辆 2SJ245S适用于电动车辆中的电源管理和驱动控制模块。其高电流能力和稳定的性能可以确保电动车辆的高效运行和安全性能。4. 消费电子 在消费电子产品中,2SJ245S可用于电源管理、驱动控制和音频放大器等模块。它的高电流能力和低开通电阻有助于提供稳定的电源和优质的音频体验。综上所述,2SJ245S可以广泛应用于电源模块、电动工具、电动车辆和消费电子等领域的模块中,提供高性能的开关和电流控制功能,并确保系统的稳定性和可靠性。
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