型号 SI2323DST1GE3丝印 VB2355品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 5.6A 导通电阻 47mΩ @10V, 56mΩ @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1Vth 封装 SOT23应用简介 SI2323DST1GE3 是一款 P 沟道 MOSFET，适用于负电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为30V，最大电流为5.6A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。2. 转换器模块 可用于负责负电压转换和逆变的转换器模块。3. 便携式设备 适用于便携式电子设备中的负载开关和电源控制。总之，SI2323DST1GE3 适用于负电压控制和负载开关的应用领域的模块设计，主要用于电源管理、转换器模块和便携式设备等领域。
--- 产品参数 ---
- 类型 P沟道
- 最大耐压 30V
- 最大电流 5.6A
- 导通电阻 47mΩ @10V, 56mΩ @4.5V
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 门阈电压 1Vth
- 封装 SOT23
--- 产品详情 ---
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