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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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HM3400PR-VB-SOT89-3封装N沟道MOSFET

型号: HM3400PR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 类型 N沟道
  • 最大耐压 30V
  • 最大漏极电流 6.8A
  • RDS(ON) 33mΩ@10V, 45mΩ@4.5V
  • 栅极电压(Vgs)范 ±20V
  • 阈值电压(Vth) 0.9V
  • 封装 SOT893

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号 HM3400PR丝印 VBI1322品牌 VBsemi参数 N沟道,30V,6.8A,RDS(ON),33mΩ@10V,45mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.9Vth(V);SOT893该产品具有以下详细参数说明  类型 N沟道功率场效应管 最大耐压 30V 最大漏极电流 6.8A 导通时的电阻(RDS(ON)) 33mΩ@10V, 45mΩ@4.5V 栅极电压(Vgs)范围 ±20V 阈值电压(Vth) 0.9V 封装 SOT893该产品适用于以下领域模块  电池管理 HM3400PR可用于电池管理模块中,实现电池的充放电控制和保护功能。 电源开关 适用于电源开关模块中,用于电源的控制和转换。 电压稳定 可用于电压稳定模块,提供稳定的输出电压和电路保护。 电子设备接口 适用于各种电子设备接口模块中,如数据通信、控制和保护。综上所述,HM3400PR适用于电池管理、电源开关、电压稳定和电子设备接口等领域模块。
 

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