型号 IPD78CN10N G丝印 VBE1106N品牌 VBsemi详细参数说明 极性 N沟道 额定电压 100V 额定电流 25A 开通电阻（RDS(ON)） 55mΩ @ 10V, 57mΩ @ 4.5V, 73mΩ @ 2.5V 额定栅极源极电压（Vgs） 20V (±V) 阈值电压（Vth） 1.4V 封装类型 TO252应用简介 IPD78CN10N G是一款N沟道MOSFET，具有高电压和高电流能力，适用于各种领域的模块应用。其特点包括低导通电阻、高开关速度和可靠性。主要应用领域 1. 照明模块 IPD78CN10N G可应用于LED照明模块中的电源管理和驱动控制。其高电压和高电流能力使其能够提供可靠的功率开关和精确的照明调节。2. 功率转换 由于IPD78CN10N G具有较低的导通电阻和高开关速度，可以应用于功率转换模块中的DCDC转换器和逆变器。它能够提供高效的能量转换和稳定的电源输出。3. 电动车辆 IPD78CN10N G适用于电动车辆中的电源管理和驱动控制模块。其高电压和低导通电阻能够提供高效的功率传输和稳定的电动车辆运行。4. 工业自动化 在工业自动化领域，IPD78CN10N G可用于电机控制、传感器接口和数据采集模块。其高电流能力和低导通电阻能够提供稳定的信号处理和精确的控制功能。综上所述，IPD78CN10N G适用于照明模块、功率转换、电动车辆和工业自动化等领域的模块应用。它具有高电压、高电流能力和低导通电阻，能够满足各种应用需求，并提供高效的功率开关和电流控制。
--- 产品参数 ---
- 极性 N沟道
- 额定电压 100V
- 额定电流 25A
- RDS(ON) 55mΩ @ 10V, 57mΩ @ 4.5v
- 额定栅极源极电压 20V (±V)
- 阈值电压（Vth） 1.4V
- 封装类型 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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