--- 产品参数 ---
- 工作电压 20V
- 额定电流 6A
- RDS(ON) 4.5V时为24mΩ,2.5V时为33mΩ
- 阈值电压 8Vgs(±V)
- 阈值电压范围 0.45V至1Vth
- 封装 SOT23
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
该型号为VBsemi品牌的N沟道功率MOSFET,型号为WNM2016-3/TR-VB,丝印为VB1240。
详细参数说明
工作电压 20V
额定电流 6A
接通电阻 RDS(ON),在4.5V时为24mΩ,在2.5V时为33mΩ
阈值电压 8Vgs(±V)
阈值电压范围 0.45V至1Vth
封装 SOT23
应用简介
该产品是一款N沟道MOSFET,适用于高频开关和调节应用,广泛用于电力管理、逆变器、LED照明和DC-DC转换器等领域。
该产品可以用在以下模块上
1. 电力管理模块 可用于电源管理系统中的电压转换和电流控制。
2. 逆变器 通过将直流电源转换为交流电源,实现光伏电池或电池组的电能传输。
3. LED照明 可用于驱动和调节LED照明系统中的电流和亮度。
4. DC-DC转换器 将直流电源转换为所需电压等级的电源,用于电子设备和通信系统等。
总结而言,WNM2016-3/TR-VB适用于电力管理、逆变器、LED照明和DC-DC转换器等领域模块。
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