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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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WNM2016-3/TR-VB-SOT23封装N沟道MOSFET

型号: WNM2016-3/TR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 工作电压 20V
  • 额定电流 6A
  • RDS(ON) 4.5V时为24mΩ,2.5V时为33mΩ
  • 阈值电压 8Vgs(±V)
  • 阈值电压范围 0.45V至1Vth
  • 封装 SOT23

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

该型号为VBsemi品牌的N沟道功率MOSFET,型号为WNM2016-3/TR-VB,丝印为VB1240。

详细参数说明  
 工作电压  20V
 额定电流  6A
 接通电阻  RDS(ON),在4.5V时为24mΩ,在2.5V时为33mΩ
 阈值电压  8Vgs(±V)
 阈值电压范围  0.45V至1Vth
 封装  SOT23

应用简介  
该产品是一款N沟道MOSFET,适用于高频开关和调节应用,广泛用于电力管理、逆变器、LED照明和DC-DC转换器等领域。

该产品可以用在以下模块上  
1. 电力管理模块  可用于电源管理系统中的电压转换和电流控制。
2. 逆变器  通过将直流电源转换为交流电源,实现光伏电池或电池组的电能传输。
3. LED照明  可用于驱动和调节LED照明系统中的电流和亮度。
4. DC-DC转换器  将直流电源转换为所需电压等级的电源,用于电子设备和通信系统等。

总结而言,WNM2016-3/TR-VB适用于电力管理、逆变器、LED照明和DC-DC转换器等领域模块。

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