--- 产品参数 ---
- 额定电压 -40V
- 额定电流 -65A
- 开启电阻 10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V, 20Vgs(±V
- 阈值电压 -1.6Vth(V)
- 封装形式 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 NCE40P40K-VB
丝印 VBE2412
品牌 VBsemi
详细参数说明
P沟道
额定电压 -40V
额定电流 -65A
开启电阻 10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V, 20Vgs(±V)
阈值电压 -1.6Vth(V)
封装形式 TO252
应用简介
NCE40P40K-VB是一种P沟道功率MOSFET,适用于各种高功率应用。其主要特点是低开启电阻和大电流能力,能够承受较高的电压。该器件广泛应用于以下领域模块
1. 电源和逆变器模块 NCE40P40K-VB可用于开关电源、逆变器、电源管理和电源控制模块中,提供高效的功率开关功能。
2. 电动工具 该MOSFET可用于电动工具领域,如电钻、电锯和电动车辆等,用于提供高功率和高效的电能转换。
3. 电动车辆充电器 NCE40P40K-VB可用于电动车充电器中,提供高功率充电,高效能源转换。
4. LED照明 该器件还适用于LED照明领域,如LED驱动器和LED控制模块中,用于实现高效能的电能转换和控制。
总之,NCE40P40K-VB主要用于高功率应用中,特别适合需要高效率和高功率开关功能的应用领域。
为你推荐
-
6NC80-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 16:36
产品型号:6NC80-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
6NB90FP-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 16:35
产品型号:6NB90FP-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N -
6NB80-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 16:34
产品型号:6NB80-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
6NB60-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 16:33
产品型号:6NB60-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
6NB25-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 16:32
产品型号:6NB25-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
6N95K5-VB TO252一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 16:31
产品型号:6N95K5-VB TO252 封装:TO252 沟道:Single-N -
6N95K5-VB TO247一款Single-N沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 16:30
产品型号:6N95K5-VB TO247 封装:TO247 沟道:Single-N -
6N95K5-VB TO220F一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 16:29
产品型号:6N95K5-VB TO220F 封装:TO220F 沟道:Single-N -
6N95K5-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 16:27
产品型号:6N95K5-VB TO220 封装:TO220 沟道:Single-N -
6N90L-TF3-T-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-18 16:25
产品型号:6N90L-TF3-T-VB 封装:TO220F 沟道:Single-N