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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SQD40P10-40L-GE3-VB-TO252封装P沟道MOSFET

型号: SQD40P10-40L-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 功能类型 P沟道
  • 最大电压 -100V
  • 最大电流 -40A
  • 开通电阻 33mΩ @ 10V,36mΩ @ 4.5
  • 栅源电压 ±20V
  • 阈值电压 -1.92V
  • 封装 TO252

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

 型号   SQD40P10-40L-GE3-VB
 功能类型   P沟道功率MOSFET
 最大电压   -100V
 最大电流   -40A
 开通电阻   33mΩ @ 10V,36mΩ @ 4.5V
 栅源电压   ±20V
 阈值电压   -1.92V
 封装   TO252

应用简介  
这款 SQD40P10-40L-GE3-VB 产品是一种 P沟道功率MOSFET,适用于多种领域的模块中。其具有低电阻(低RDS(ON))和高电流特性,可在高电压和高功率应用中提供良好的性能。该器件在TO252封装中提供了便于安装和热管理的方式。

这些产品主要用于以下领域模块  
 电源模块  可用于电源开关,以提供稳定的电源输出。
 汽车电子  适用于汽车电子模块中的电源开关、电机驱动等应用。
 工业自动化  可用于马达控制、电机驱动、开关电源等工业自动化应用。
 可再生能源  适用于太阳能逆变器、风力发电控制器等可再生能源装置中的电源开关和驱动应用。

总之,SQD40P10-40L-GE3-VB是一款高性能的低电阻P沟道功率MOSFET,适用于电源、汽车电子、工业自动化和可再生能源等领域的模块。

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