--- 产品参数 ---
- 功能类型 P沟道
- 最大电压 -100V
- 最大电流 -40A
- 开通电阻 33mΩ @ 10V,36mΩ @ 4.5
- 栅源电压 ±20V
- 阈值电压 -1.92V
- 封装 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 SQD40P10-40L-GE3-VB
功能类型 P沟道功率MOSFET
最大电压 -100V
最大电流 -40A
开通电阻 33mΩ @ 10V,36mΩ @ 4.5V
栅源电压 ±20V
阈值电压 -1.92V
封装 TO252
应用简介
这款 SQD40P10-40L-GE3-VB 产品是一种 P沟道功率MOSFET,适用于多种领域的模块中。其具有低电阻(低RDS(ON))和高电流特性,可在高电压和高功率应用中提供良好的性能。该器件在TO252封装中提供了便于安装和热管理的方式。
这些产品主要用于以下领域模块
电源模块 可用于电源开关,以提供稳定的电源输出。
汽车电子 适用于汽车电子模块中的电源开关、电机驱动等应用。
工业自动化 可用于马达控制、电机驱动、开关电源等工业自动化应用。
可再生能源 适用于太阳能逆变器、风力发电控制器等可再生能源装置中的电源开关和驱动应用。
总之,SQD40P10-40L-GE3-VB是一款高性能的低电阻P沟道功率MOSFET,适用于电源、汽车电子、工业自动化和可再生能源等领域的模块。
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