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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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STB30NF20-VB-TO263封装N沟道MOSFET

型号: STB30NF20-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 类型 N沟道
  • 额定电压 200V
  • 最大持续电流(I 40A
  • 导通电阻 48mΩ @ 10V
  • 门源电压范围 20V(正负)
  • 阈值电压 3.3V
  • 封装 TO263

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号  STB30NF20-VB
丝印  VBL1208N
品牌  VBsemi
参数  
 类型  N沟道
 额定电压(Vds)  200V
 最大持续电流(Id)  40A
 导通电阻(RDS(ON))  48mΩ @ 10V
 门源电压范围(Vgs)  20V(正负)
 阈值电压(Vth)  3.3V
 封装  TO263

应用简介  
STB30NF20-VB是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有高额定电压和较高电流承受能力。它适用于需要高电压和高电流开关的领域,如电源开关、电机控制和工业应用。

详细参数说明  
1. **类型**  这是一款N沟道MOSFET,意味着它在输入正电压时导通。这种类型的MOSFET通常用于开关和调节电路中。

2. **额定电压(Vds)**  它可以承受的最大漏极-源极电压为200V。这表示在正常工作条件下,其电压可以达到200V。

3. **最大持续电流(Id)**  这款MOSFET的最大电流承受能力为40A。这使它能够处理高电流负载。

4. **导通电阻(RDS(ON))**  RDS(ON)是导通状态下的电阻,它影响MOSFET的功耗和效率。在10V的门源电压下,它的RDS(ON)为48mΩ,表示在导通状态下的功耗相对较低。

5. **门源电压范围(Vgs)**  MOSFET的门源电压范围为20V,这表示需要至多20V的电压来控制它的导通状态。

6. **阈值电压(Vth)**  这款MOSFET的阈值电压为3.3V。这是启动MOSFET导通的门源电压。

7. **封装**  这款MOSFET采用TO263封装,这是一种常见的功率封装类型,适用于高功率电子应用。

应用领域  
STB30NF20-VB这款MOSFET适用于多种需要高电压和高电流开关的电子模块和设备,包括但不限于以下领域模块  

1. **电源开关**  可用于高电压开关电源,如电压转换和电源稳定。

2. **电机控制**  在电机控制器中用于控制电机的速度和方向,特别是用于工业电机。

3. **电力逆变器**  用于逆变器电路,将直流电转换为交流电,如太阳能逆变器和电力逆变器。

4. **高电压电源管理**  用于高电压电源管理和电流控制电路,如工业控制系统。

5. **电动工具**  在需要高功率和高效能的电动工具中,如电动钻机和电锯。

总之,这款N沟道MOSFET适用于需要高电压和高电流开关的电子模块和设备,提供电源控制和电流管理的功能,特别是在高功率和工业应用中。

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