--- 产品参数 ---
- 类型 N沟道
- 额定电压 200V
- 最大持续电流(I 40A
- 导通电阻 48mΩ @ 10V
- 门源电压范围 20V(正负)
- 阈值电压 3.3V
- 封装 TO263
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 STB30NF20-VB
丝印 VBL1208N
品牌 VBsemi
参数
类型 N沟道
额定电压(Vds) 200V
最大持续电流(Id) 40A
导通电阻(RDS(ON)) 48mΩ @ 10V
门源电压范围(Vgs) 20V(正负)
阈值电压(Vth) 3.3V
封装 TO263
应用简介
STB30NF20-VB是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有高额定电压和较高电流承受能力。它适用于需要高电压和高电流开关的领域,如电源开关、电机控制和工业应用。
详细参数说明
1. **类型** 这是一款N沟道MOSFET,意味着它在输入正电压时导通。这种类型的MOSFET通常用于开关和调节电路中。
2. **额定电压(Vds)** 它可以承受的最大漏极-源极电压为200V。这表示在正常工作条件下,其电压可以达到200V。
3. **最大持续电流(Id)** 这款MOSFET的最大电流承受能力为40A。这使它能够处理高电流负载。
4. **导通电阻(RDS(ON))** RDS(ON)是导通状态下的电阻,它影响MOSFET的功耗和效率。在10V的门源电压下,它的RDS(ON)为48mΩ,表示在导通状态下的功耗相对较低。
5. **门源电压范围(Vgs)** MOSFET的门源电压范围为20V,这表示需要至多20V的电压来控制它的导通状态。
6. **阈值电压(Vth)** 这款MOSFET的阈值电压为3.3V。这是启动MOSFET导通的门源电压。
7. **封装** 这款MOSFET采用TO263封装,这是一种常见的功率封装类型,适用于高功率电子应用。
应用领域
STB30NF20-VB这款MOSFET适用于多种需要高电压和高电流开关的电子模块和设备,包括但不限于以下领域模块
1. **电源开关** 可用于高电压开关电源,如电压转换和电源稳定。
2. **电机控制** 在电机控制器中用于控制电机的速度和方向,特别是用于工业电机。
3. **电力逆变器** 用于逆变器电路,将直流电转换为交流电,如太阳能逆变器和电力逆变器。
4. **高电压电源管理** 用于高电压电源管理和电流控制电路,如工业控制系统。
5. **电动工具** 在需要高功率和高效能的电动工具中,如电动钻机和电锯。
总之,这款N沟道MOSFET适用于需要高电压和高电流开关的电子模块和设备,提供电源控制和电流管理的功能,特别是在高功率和工业应用中。
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