--- 产品参数 ---
- 沟道类型 N沟道
- 额定电压 20V
- 最大电流 6A
- 静态导通电阻 24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V
- 门源电压 ±8V
- 阈值电压 0.45~1V
- 封装类型 SOT23
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 SI2300BDS-T1-GE3-VB
丝印 VB1240
品牌 VBsemi
详细参数说明
沟道类型 N沟道
额定电压 20V
最大电流 6A
静态导通电阻 (RDS(ON)) 24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V
门源电压 (Vgs) ±8V
阈值电压 (Vth) 0.45~1V
封装类型 SOT23
应用简介
SI2300BDS-T1-GE3-VB是一款高性能N沟道场效应晶体管,适用于多种电子领域的模块和电路。以下是该产品的一些主要应用领域
1. 电源开关 这款晶体管可用于电源开关电路,帮助实现高效的电源控制和管理,特别适用于电源管理单元、稳压器和电源模块。
2. 电机控制 由于其高电流承受能力和低导通电阻,它适用于电机驱动模块,用于控制电机的速度和方向,例如电动工具、电动车电机控制和工业电机驱动。
3. 逆变器 在逆变器模块中,SI2300BDS-T1-GE3-VB可以用作开关器件,帮助转换直流电源为交流电源,用于太阳能逆变器、电源逆变器和电动汽车充电器等应用。
4. 电池保护 它还可以用于电池保护模块,确保电池在充电和放电过程中保持安全和稳定,例如便携式电子设备和电池管理系统。
5. LED驱动 在LED照明控制模块中,这款晶体管可用作电流调节器和开关,实现对LED灯的亮度和颜色温度的控制。
总之,SI2300BDS-T1-GE3-VB适用于多种电子模块和电路,包括电源开关、电机控制、逆变器、电池保护和LED驱动等领域。其N沟道特性、高电流承受能力和低导通电阻使其成为广泛应用的元器件,特别适用于要求高性能和可靠性的应用。
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