--- 产品参数 ---
- 最大耐压 30V
- 最大电流 6A
- 静态开启电阻 30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V
- 门源极电压 20V (±V)
- 阈值电压 1.2V
- 封装类型 SOT23-6
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:NTGS4141NT1G-VB
丝印:VB7322
品牌:VBsemi
参数:
- 类型:N沟道
- 最大耐压:30V
- 最大电流:6A
- 静态开启电阻 (RDS(ON)):30mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V
- 门源极电压 (Vgs):20V (±V)
- 阈值电压 (Vth):1.2V
- 封装类型:SOT23-6
应用简介:
NTGS4141NT1G-VB是一款N沟道MOSFET,适用于多种低至中等功率电子应用,以下是一些可能的应用领域:
1. 电源模块:这款MOSFET可用于小型电源模块中的功率开关,帮助提高电源管理的效率,适用于便携式设备、嵌入式系统和电源逆变器。
2. DC-DC转换器:NTGS4141NT1G-VB可以用于DC-DC转换器中,将一个电压转换成另一个电压,适用于电池驱动的设备、电子终端和通信设备。
3. 电池管理:它还可以用于电池管理系统中,控制电池的充电和放电,确保电池的安全和性能。
4. 低功耗电子:由于其低导通电阻和适中的电流承受能力,适用于需要低功耗操作的电子设备,如传感器节点、便携式医疗设备和无线通信模块。
5. 模拟电路:在一些模拟电路中,如信号放大器和滤波器,可以使用NTGS4141NT1G-VB来实现精确的信号控制。
这款MOSFET的特性使其适用于多种低至中等功率电子应用,尤其是在有限的空间内需要高性能的情况下。然而,在选择和使用该器件时,仍然需要详细了解其数据手册和性能参数,以确保其满足特定应用的要求。
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