--- 产品参数 ---
- 沟道类型 P沟道
- 额定电压 -20V
- 最大电流 -4A
- 静态导通电阻 57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V
- 门源电压 ±12V
- 阈值电压 -0.81V
- 封装类型 SOT23
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 SI2301ADS-T1-GE3-VB
丝印 VB2290
品牌 VBsemi
详细参数说明
沟道类型 P沟道
额定电压 -20V
最大电流 -4A
静态导通电阻 (RDS(ON)) 57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V
门源电压 (Vgs) ±12V
阈值电压 (Vth) -0.81V
封装类型 SOT23
应用简介
SI2301ADS-T1-GE3-VB是一款P沟道场效应晶体管,具有一些特定的电性能,适用于多种电子领域的模块和电路。以下是该产品的一些主要应用领域
1. 电池保护 这款P沟道晶体管可用于电池保护模块,用于防止电池过放电和过充电,确保电池的安全性和寿命。
2. 低电压断开开关 由于其低阈值电压和低导通电阻,它适用于低电压断开开关,用于电子设备的电源管理和控制。
3. LED控制 在LED照明控制模块中,SI2301ADS-T1-GE3-VB可用作电流调节器和开关,帮助控制LED灯的亮度和颜色温度。
4. 电机驱动 它还可以用于小型电机驱动模块,例如小型风扇、电动玩具和机器人。
5. 电源逆变器 在低功率电源逆变器中,该晶体管可用于实现电源的DC-AC逆变,用于应急电源和UPS系统。
6. 便携式设备 由于其小型SOT23封装和低阈值电压,它适用于便携式电子设备的电源开关和控制,例如智能手机和平板电脑。
7. 汽车电子 在汽车电子领域,SI2301ADS-T1-GE3-VB可用于座椅控制、照明控制、电动窗控制和其他低电压电子模块。
总之,SI2301ADS-T1-GE3-VB适用于多种应用,包括电池保护、低电压断开开关、LED控制、小型电机驱动、电源逆变器、便携式设备和汽车电子等领域。其P沟道特性、低阈值电压和小型封装使其成为广泛应用的元器件,特别适用于低电压和便携式应用。
为你推荐
-
4920M-VB一款Dual-N+N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-12 14:06
产品型号:4920M-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+N -
4920GM-VB一款Dual-N+N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-12 14:05
产品型号:4920GM-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-N+N -
4917N-VB一款Single-N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-12 14:04
产品型号:4917N-VB 封装:SOP8 沟道:Single-N -
4916N-VB一款Single-N沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-12 14:01
产品型号:4916N-VB 封装:SOP8 沟道:Single-N -
4913SS-VB一款Dual-P+P沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-12 13:59
产品型号:4913SS-VB 封装:SOP8 沟道:Dual-P+P -
4913NG-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-12 13:57
产品型号:4913NG-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
4910NG-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-12 13:55
产品型号:4910NG-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
4909NG-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-12 13:53
产品型号:4909NG-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
4906NG-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-12 13:52
产品型号:4906NG-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
4905NG-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-12 13:51
产品型号:4905NG-VB 封装:TO252封装 沟道:Single-N