--- 产品参数 ---
- 类型 N沟道
- 额定电压 20V
- 额定电流 6A
- 静态电阻 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V
- 门源电压 8Vgs (±V)
- 阈值电压 0.45~1Vth(V)
- 封装 SOT23
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 FDV303N-NL-VB
丝印 VB1240
品牌 VBsemi
参数
N沟道
额定电压 20V
额定电流 6A
静态电阻 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V
门源电压 8Vgs (±V)
阈值电压 0.45~1Vth(V)
封装 SOT23
应用简介
FDV303N-NL-VB是一款N沟道MOSFET晶体管,适用于各种领域的电子电路设计。它具有20V的额定电压和6A的额定电流,适用于工业控制、通信设备、汽车电子以及消费类电子产品等领域的模块设计。
这些产品主要用于以下领域模块
1. 工业控制模块 FDV303N-NL-VB具有较高的额定电流和低的静态电阻,可用于工业控制模块中的电源开关、驱动器以及电机控制等应用。
2. 通信设备模块 该MOSFET晶体管适用于通信设备模块中的电源管理、功率放大和信号传输等应用,以提供更好的功率和性能。
3. 汽车电子模块 FDV303N-NL-VB能够承受较高的额定电流和电压,适用于汽车电子模块中的电动车控制、照明系统以及电池管理等应用。
4. 消费类电子产品模块 由于其封装为SOT23,FDV303N-NL-VB适合用于占用空间较小的消费类电子产品模块,如手机、平板电脑和便携式音频设备等。
总之,FDV303N-NL-VB可广泛应用于各种领域的模块设计中,其具有较低的静态电阻和高的额定电流,可提供可靠的功率和性能。
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