--- 产品参数 ---
- 沟道 P
- 封装 SOT23
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
AP2301N是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品,丝印型号为VB2290;采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS(ON)参数为57mΩ(在4.5V下)和83mΩ(在2.5V下),以及12Vgs(±V)的较高电压限制和-0.81Vth的阈值电压。
AP2301N适用于多个应用领域。在电子领域,它可用于电源管理、功率转换、电机控制和电源开关等应用中。在工业领域,它可以用于自动化设备、控制系统和驱动器。在汽车领域,它可用于电动车辆、照明和电动窗控制等应用中。
对于需要使用AP2301N的模块,可以根据其性能特点选择适当的模块。其中,电源管理模块、功率转换模块和电源开关模块是常见的使用AP2301N的模块。此外,电机控制模块和驱动器模块也可能需要使用该产品。根据具体应用需求,选择适当的模块是使用AP2301N的关键。
为你推荐
-
9R340C-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 13:45
产品型号:9R340C-VB TO220 封装:TO220 沟道:Single-N -
9R1K2C-VB TO252一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 13:42
产品型号:9R1K2C-VB TO252 封装:TO252### 一、9R1K2C-VB 产品简介 9R1 沟道:Single-N -
9R1K2C-VB TO247一款Single-N沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 13:39
产品型号:9R1K2C-VB TO247 封装:TO247 沟道:Single-N -
9R1K2C-VB TO220F一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 13:37
产品型号:9R1K2C-VB TO220F 封装:TO220F 沟道:Single-N -
9R1K2C-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:58
产品型号:9R1K2C-VB TO220 封装:TO220 沟道:Single-N -
9R1K0C-VB TO247一款Single-N沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:53
产品型号:9R1K0C-VB TO247 封装:TO247 沟道:Single-N -
9R1K0C-VB TO220F一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:46
产品型号:9R1K0C-VB TO220F 封装:TO220F 沟道:Single-N -
9R1K0C-VB TO220一款9R1K0C-VB TO220沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:44
产品型号:9R1K0C-VB TO220 封装:TO220 沟道:9R1K0C-VB TO220 -
9R120C-VB一款Single-N沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:42
产品型号:9R120C-VB 封装:TO247 沟道:Single-N -
9NM60N-VB TO252一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:40
产品型号:9NM60N-VB TO252 封装:TO252 沟道:Single-N