--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 SOT23封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
SI2302DS-T1-GE3 (VB1240)参数说明:N沟道,20V,6A,导通电阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,门源电压范围8V(±V),可调阈值电压范围0.45~1V,封装:SOT23。
应用简介:SI2302DS-T1-GE3是一款中低电压N沟道MOSFET,适用于电源开关、电机控制和稳压等应用。
其低导通电阻和可调的阈值电压使其在多种场景中具备灵活性。
优势与适用领域:具有低导通电阻和可调的阈值电压,适用于要求低电压降和灵活性的领域,如电池管理、便携式设备和LED驱动等模块。
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