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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SI2302DS-T1-GE3-VB一款N沟道SOT23封装MOSFET应用分析

型号: SI2302DS-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道 N沟道
  • 封装 SOT23封装

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

SI2302DS-T1-GE3 (VB1240)参数说明:N沟道,20V,6A,导通电阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,门源电压范围8V(±V),可调阈值电压范围0.45~1V,封装:SOT23。


应用简介:SI2302DS-T1-GE3是一款中低电压N沟道MOSFET,适用于电源开关、电机控制和稳压等应用。
其低导通电阻和可调的阈值电压使其在多种场景中具备灵活性。
优势与适用领域:具有低导通电阻和可调的阈值电压,适用于要求低电压降和灵活性的领域,如电池管理、便携式设备和LED驱动等模块。
 

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