--- 产品参数 ---
- 封装 TO252封装
- 沟道 N沟道
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号: FQD50N06-VB
丝印: VBE1615
品牌: VBsemi
参数说明:
- 沟道类型: N沟道
- 额定电压: 60V
- 额定电流: 60A
- 开启电阻: 9mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V
- 门源极最大电压: 20Vgs (±V)
- 门阈电压: 1.87Vth (V)
- 封装类型: TO252
应用简介:
FQD50N06-VB是一款N沟道MOSFET,适用于大功率、高电流的应用场景。它的低开启电阻使得其具有优异的导通特性,能够提供高效的电流传导。因此,FQD50N06-VB广泛应用于以下领域模块:
1. 电源模块:FQD50N06-VB可以用作电源开关,控制电源的通断,以实现稳定可靠的电源输出。
2. 逆变器:FQD50N06-VB适用于逆变器模块,可以将直流电转换为交流电,常用于家电、工业设备等领域。
3. 电动工具:由于FQD50N06-VB具有高电流承受能力和低开启电阻,因此可以应用于电动工具中,提供高功率的驱动能力。
4. 汽车电子:FQD50N06-VB适用于汽车电子模块,如电动车充电桩、电动汽车控制模块等,可以提供高效的功率传输和控制功能。
总之,FQD50N06-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于大功率、高电流的应用,广泛应用于电源模块、逆变器、电动工具以及汽车电子等领域模块。
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