--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 SOP8封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:AO4812-VB
丝印:VBA3328
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:2个N沟道
- 最大耐压:30V
- 最大持续电流:6.8A(在20Vgs时)
- 最大脉冲电流:6.0A(在20Vgs时)
- 开通电阻(RDS(ON)):22mΩ @ 10Vgs、26mΩ @ 4.5Vgs
- 阈值电压(Vth):1.73V
- 封装类型:SOP8
应用简介:
AO4812-VB是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),它在电子领域中有广泛的应用。以下是它的一些主要应用领域:
1. 电源管理模块:AO4812-VB的低开通电阻和高耐压特性使其成为电源管理模块中的理想选择。它可以用于开关稳压器、电池管理系统以及其他与电源管理相关的应用中,帮助实现高效能耗和稳定的电源输出。
2. DC-DC变换器:这款MOSFET可用于DC-DC变换器,将一个电压转换为另一个电压。它在移动设备、通信设备和电源适配器等领域中常见,用于电压升压或降压转换。
3. 驱动电路:AO4812-VB的快速开关特性使其适用于驱动电路,如电机驱动、LED驱动、电磁阀驱动等应用,帮助控制和管理电流流动。
4. 电池保护模块:由于其低阈值电压和高耐压特性,它也可用于电池保护模块,确保电池充电和放电过程中的安全性和效率。
总之,AO4812-VB是一款多功能的N沟道MOSFET,适用于各种电子应用,特别是需要高效能耗、高电流承受能力和稳定性的领域。
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