--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:PHD78NQ03LT-VB
丝印:VBE1307
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:N沟道
- 最大耐压:30V
- 最大持续电流:60A
- 开通电阻(RDS(ON)):10mΩ @ 10Vgs、11mΩ @ 4.5Vgs
- 阈值电压(Vth):1.6V
- 封装类型:TO252
应用简介:
PHD78NQ03LT-VB是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有高电流承受能力和低开通电阻,适用于多种高功率电子应用。以下是它的一些主要应用领域:
1. 电源模块:这款MOSFET的低开通电阻和高电流承受能力使其非常适合用于电源模块,如开关稳压器和直流-直流变换器,以提供高效率和稳定的电源输出。
2. 电机驱动:PHD78NQ03LT-VB可以用于电机驱动电路,如电机控制、电动汽车电机驱动和工业自动化中的电机控制,以实现高效的电机运行。
3. 电池保护模块:由于其高电流承受能力,它也可以用于电池保护模块,确保电池在充电和放电时的安全性和性能。
4. 电源开关:这款MOSFET可以用于电源开关,用于控制电路的通断状态,例如高功率电子设备中的电源开关。
总之,PHD78NQ03LT-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于各种高功率电子应用,特别是需要高电流承受能力和低电阻的领域。它在电源模块、电机驱动、电池保护模块和电源开关等模块中都有广泛的用途。
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