--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 SC70-6封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:AO7800-VB
丝印:VBK3215N
品牌:VBsemi
参数:
- 类型:2个N沟道
- 最大耐压:20V
- 最大电流:2A
- 静态开启电阻 (RDS(ON)):150mΩ @ 4.5V, 170mΩ @ 2.5V
- 门源极电压 (Vgs):8V (±V)
- 阈值电压 (Vth):0.8V
- 封装类型:SC70-6
应用简介:
AO7800-VB是一种双N沟道MOSFET器件,适用于需要低电压、低电流和小型封装的电子应用。以下是一些可能的应用领域:
1. 移动设备:AO7800-VB可以用于手机、平板电脑和便携式媒体设备等移动设备中的电源管理电路,以提高电池寿命和设备性能。
2. 电池管理:它还可用于电池保护和电池管理系统中,控制充电和放电过程,确保电池的安全和性能。
3. 低功耗电子:由于其低静态阈值电压和适中的电流承受能力,适用于需要低功耗操作的电子设备,如传感器节点、便携式医疗设备和无线通信模块。
4. 信号开关:在一些信号开关电路中,AO7800-VB可用于实现信号的精确控制和切换。
5. LED驱动:可用于LED照明应用中,帮助实现高效的LED灯控制和驱动。
AO7800-VB的特性使其适用于多种低功率和便携式电子应用,尤其是在有限的空间内需要高性能的情况下。然而,在选择和使用该器件时,仍然需要详细了解其数据手册和性能参数,以确保其满足特定应用的要求。
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