--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 SOT23-6封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:IRF5805TRPBF-VB
丝印:VB8338
品牌:VBsemi
**参数说明:**
- 极性:P沟道
- 额定电压(Vds):-30V
- 额定电流(Id):-4.8A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):49mΩ @ 10V, 54mΩ @ 4.5V
- 门源极电压(Vgs):-20V 至 20V
- 阈值电压(Vth):-1V 至 -3V
- 封装类型:SOT23-6
**应用简介:**
IRF5805TRPBF-VB是一款P沟道MOSFET,适用于多种应用领域。以下是该产品可能应用于的一些领域模块:
1. **电源开关模块:** 由于其P沟道MOSFET特性,IRF5805TRPBF-VB可用于电源开关模块,如DC-DC变换器和开关稳压器。这些模块广泛应用于移动设备、通信设备和工业应用中。
2. **电池保护:** 该MOSFET可用于电池保护电路,确保电池充电和放电时的安全和高效。这对于智能手机、平板电脑和笔记本电脑非常重要。
3. **电池充电管理:** 在电池充电管理模块中,IRF5805TRPBF-VB可以用于控制电池充电电路,确保电池充电的高效和安全。这对于电动汽车和便携式充电设备至关重要。
4. **LED照明控制:** 该MOSFET可以用于LED照明控制模块,用于开关和调光LED灯。这对于节能照明系统、照明调光器和LED驱动器非常有用。
5. **电机控制:** IRF5805TRPBF-VB还适用于电机控制模块,如直流电机控制器和步进电机驱动器。这在家用电器、自动化系统和机器人技术中广泛应用。
总之,IRF5805TRPBF-VB是一款多功能的P沟道MOSFET,适用于多种领域的模块设计,包括电源开关、电池保护、电池充电管理、LED照明控制和电机控制等领域。其高性能和可靠性使其成为许多电子设备的理想选择。
为你推荐
-
80N4F6-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:34
产品型号:80N4F6-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
80N40LG-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:33
产品型号:80N40LG-VB TO263 封装:TO263 沟道:Single-N -
80N40LG-VB TO262一款Single-N沟道TO262的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:31
产品型号:80N40LG-VB TO262 封装:TO262 沟道:Single-N -
80N40DG-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:30
产品型号:80N40DG-VB TO263 封装:TO263 沟道:Single-N -
80N40DG-VB TO262一款Single-N沟道TO262的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:29
产品型号:80N40DG-VB TO262 封装:TO262 沟道:Single-N -
80N3LLH6-VB一款Single-N沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:22
产品型号:80N3LLH6-VB 封装:DFN8(5X6) 沟道:Single-N -
80N30W-VB一款Single-N沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:13
产品型号:80N30W-VB 封装:TO3P 沟道:Single-N -
80N20M5-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:12
产品型号:80N20M5-VB TO263 封装:TO263 沟道:Single-N -
80N20M5-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:11
产品型号:80N20M5-VB TO220 封装:TO220 沟道:Single-N -
80N10-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-21 15:09
产品型号:80N10-VB 封装:TO220 沟道:Single-N