--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO220F封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:STP3NK60ZFP-VB
丝印:VBMB165R04
品牌:VBsemi
参数:
- 类型:N沟道
- 额定电压(Vds):650V
- 最大持续电流(Id):4A
- 导通电阻(RDS(ON)):2560mΩ @ 10V
- 门源电压范围(Vgs):20V(正负)
- 阈值电压(Vth):3.8V
- 封装:TO220F
应用简介:
STP3NK60ZFP-VB是一款高压N沟道场效应晶体管(MOSFET),适用于需要高电压和低电阻的开关应用,如电源开关、电流控制和逆变器。
详细参数说明:
1. **类型**:这是一款N沟道MOSFET,意味着它在输入正电压时导通。这种类型的MOSFET通常用于开关和调节电路中。
2. **额定电压(Vds)**:它可以承受的最大漏极-源极电压为650V。这表示它可以在高电压条件下工作。
3. **最大持续电流(Id)**:这款MOSFET的最大电流承受能力为4A。这使它能够处理适度电流负载。
4. **导通电阻(RDS(ON))**:RDS(ON)是导通状态下的电阻,它影响MOSFET的功耗和效率。在10V的门源电压下,它的RDS(ON)为2560mΩ,这表示在导通状态下的电阻相对较高,可能会有一定的功耗。
5. **门源电压范围(Vgs)**:MOSFET的门源电压范围为20V,这表示需要至多20V的电压来控制它的导通状态。
6. **阈值电压(Vth)**:这款MOSFET的阈值电压为3.8V。这是启动MOSFET导通的门源电压。
7. **封装**:这款MOSFET采用TO220F封装,这是一种常见的功率封装类型,适用于高功率电子应用。
应用领域:
STP3NK60ZFP-VB这款MOSFET适用于多种需要高电压和低电阻的电子模块和设备,包括但不限于以下领域模块:
1. **电源开关**:可用于高电压开关电源,如电压转换和电源稳定。
2. **电机控制**:在电机控制器中用于控制电机的速度和方向,特别是用于工业电机。
3. **电力逆变器**:用于逆变器电路,将直流电转换为交流电,如太阳能逆变器和电力逆变器。
4. **高压电源管理**:用于高电压电源管理和电流控制电路,如工业控制系统。
5. **电动工具**:在需要高压和低电阻的电动工具中,如电动钻机和电锯。
总之,这款高压N沟道MOSFET适用于需要高电压和低电阻的电子模块和设备,提供电源控制和电流管理的功能,特别是在高压和高功率应用中。
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