--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 TO251封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:IRFU9024NPBF-VB
丝印:VBFB2610N
品牌:VBsemi
参数:
- 类型:P沟道
- 最大耐压:-60V
- 最大电流:-25A
- 静态开启电阻 (RDS(ON)):66mΩ @ 10V, 80mΩ @ 4.5V
- 门源极电压 (Vgs):20V (±V)
- 阈值电压 (Vth):-1.43V
- 封装类型:TO251
应用简介:
IRFU9024NPBF-VB是一种P沟道MOSFET,适用于多种电子应用,以下是一些可能的应用领域:
1. 电源模块:这款MOSFET可用于电源模块中的功率开关,帮助提高电源管理的效率,适用于便携式设备、嵌入式系统和电源逆变器。
2. DC-DC转换器:IRFU9024NPBF-VB可以用于DC-DC转换器中,将一个电压转换成另一个电压,适用于电池驱动的设备、电子终端和通信设备。
3. 电池管理:它还可以用于电池管理系统中,控制电池的充电和放电,确保电池的安全和性能。
4. 汽车电子:由于其低导通电阻和电压特性,这种MOSFET也适用于汽车电子系统,如车辆电源管理和驱动控制。
5. 低功耗电子:由于其低导通电阻和低电压特性,适用于需要低功耗操作的电子设备,如传感器节点、便携式医疗设备和无线通信模块。
IRFU9024NPBF-VB的特性使其适用于多种中等功率电子应用,尤其是在需要P沟道MOSFET的情况下。然而,在选择和使用该器件时,仍然需要详细了解其数据手册和性能参数,以确保其满足特定应用的要求。
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