--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 SOP8封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:STS10PF30L-VB
丝印:VBA2311
品牌:VBsemi
参数说明:
- 极性:P沟道
- 额定电压:-30V
- 最大连续漏极电流:-11A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):10mΩ @ 10V,13mΩ @ 4.5V
- 门极-源极电压(Vgs):20V(±V)
- 開啟電壓(门极阈值电压):-1.42V
- 封装:SOP8
应用简介:
STS10PF30L-VB是一款P沟道场效应晶体管(MOSFET)器件,具有高电流承受能力和低漏极-源极电阻,适用于多种高性能电子应用领域。
应用领域:
1. **电源模块**:STS10PF30L-VB适用于开关电源、电源管理模块和电池保护电路,有助于提高电能转换效率,特别适用于高电流的电源模块。
2. **电机驱动**:这种MOSFET器件的高电流承受能力和低电阻使其非常适合用于电机驱动器、电机控制和电机保护,可用于各种电机应用。
3. **电池管理**:在电动汽车、电动工具和便携式设备中,STS10PF30L-VB可用于电池管理系统,确保电池的安全充放电和保护,尤其在需要高电流的应用中。
4. **电源开关**:这种MOSFET可用于高电流的开关电路,如电源开关和电源逆变器,可用于高功率应用。
5. **工业控制**:STS10PF30L-VB可用于工业控制应用,如高电流电机控制、PLC(可编程逻辑控制器)和电源分配。
总之,STS10PF30L-VB是一款多功能的电子器件,适用于需要高电流承受能力、低电阻和可靠性的各种电子应用领域。它可以用于电源管理、电机控制、电池保护、电源开关、工业控制等模块。
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