--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:SUD50P04-13L-GE3-VB
丝印:VBE2412
品牌:VBsemi
参数:
- P沟道
- 最大耐压:-40V
- 最大电流:-65A
- 开通态电阻:10mΩ @ 10V, 13mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压:-1.6V
封装:TO252
该型号的SUD50P04-13L-GE3-VB 是一种P沟道MOSFET晶体管,适用于多种应用领域。以下是该产品的详细参数说明和应用简介:
**详细参数说明:**
- 最大耐压:-40V,表示它可以承受不超过40伏的电压。
- 最大电流:-65A,该MOSFET可以承受最高65安培的电流。
- 开通态电阻:在不同电压下,其导通状态的电阻分别为10毫欧姆(@ 10V)和13毫欧姆(@ 4.5V)。这表明它在导通状态下有极低的电阻。
- 阈值电压:-1.6V,表示MOSFET在此电压下开始导通。
**应用简介:**
这种MOSFET(SUD50P04-13L-GE3-VB)适用于多个领域的电路模块,主要用于电流控制、电压开关和功率放大。具体应用包括但不限于以下领域:
1. **电源管理模块:** 用于开关电源、稳压电路和电源开关,有助于实现高效的能源管理。
2. **电机控制:** 作为电机驱动器或电机控制模块的一部分,用于电流控制和电压开关。
3. **电源逆变器:** 在逆变器中,它可以用于将直流电转换为交流电,适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器等。
4. **电源开关和保护:** 用于电源开关、短路保护和过流保护电路。
总之,SUD50P04-13L-GE3-VB 是一种多功能的P沟道MOSFET,适用于多种电子应用领域,主要用于电流控制和电源管理。
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