--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
根据提供的型号和参数,以下是对该 MOSFET 型号 P1203ED-VB 的详细参数和应用简介:
**型号:** P1203ED-VB
**丝印:** VBE2311
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 沟道类型:P沟道
- 额定电压:-30V
- 最大电流:-60A
- 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON)):12mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V
- 门源电压阈值 (Vth):-1.6V
- 标准门源电压 (±V):20V
- 封装:TO252
**产品应用简介:**
P1203ED-VB 是一款 P 沟道 MOSFET,具有非常高的额定电流承受能力和低的漏极-源极电阻,适合用于高功率的电子设备和模块的功率开关和放大器应用。这款 MOSFET 的性能参数使其适用于多种领域。
**产品应用领域:**
1. **电源开关:** 该型号的 MOSFET 可用于高功率电源开关应用,以切换电路中的电源连接,如电源管理单元和电源开关。
2. **电机驱动:** 适用于高功率电机驱动电路,例如工业电机和大功率电机控制应用。
3. **电池保护:** 用于电池保护电路,以控制电池的充电和放电,确保电池的安全和性能。
4. **高功率逆变器和电源逆变器:** 在高功率逆变器电路中,用于将直流电源转换为交流电源,通常用于工业逆变器和电源逆变器。
5. **音响放大器:** 用于高功率音响放大器设计,如家庭影院系统和专业音响设备中的功率放大器。
总之,P1203ED-VB MOSFET 在需要高功率、高电流承受能力和低电阻的应用中非常有用,用于功率控制、电流开关和电源连接等用途。由于其性能参数,它在电子模块和设备中起到关键作用。
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