--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 SOT223封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:SM1105NSV-VB
丝印:VBJ1101M
品牌:VBsemi
参数:
- N沟道
- 额定电压:100V
- 最大漏电流:5A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):100mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V, 20Vgs
- 阈值电压(Vth)范围:2V 至 4V
- 封装:SOT223
应用简介:
SM1105NSV-VB是一种N沟道场效应晶体管,适用于多种低功率和中功率电子应用,具有较低的导通电阻和较高的额定电压。以下是一些可能的应用领域和模块:
1. **电源管理**:这种N沟道MOSFET适用于低功率电源管理模块,如电源开关、电源管理单元和电源适配器。它有助于实现电路的高效率和可靠性。
2. **电池保护**:在便携式电子设备中,SM1105NSV-VB可以用于电池保护电路,以确保电池充电和放电过程中的安全和稳定性。
3. **信号开关**:这款MOSFET可用于低功率信号开关应用,如模拟信号切换、数字信号开关和信号放大器。
4. **电源开关**:在低功率电源开关电路中,它可用于控制和调整电源输出,以满足不同低功率电子设备的电能需求。
5. **电流调整模块**:SM1105NSV-VB也可以用于低功率电流调整模块,如LED驱动器、低功率电流调整电路和电源管理单元,以确保电路输出的稳定性和精确性。
总之,SM1105NSV-VB N沟道MOSFET适用于多种低功率和中功率应用,包括电源管理、电池保护、信号开关、电源开关和低功率电流调整模块等领域。它有助于实现低功率电子系统的高效能和可靠性。
为你推荐
-
RQJ0458FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:48
产品型号:RQJ0458FQDQS-VB 封装 :SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0457FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:46
产品型号:RQJ0457FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0456FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:44
产品型号:RQJ0456FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0455FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:43
产品型号:RQJ0455FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0454FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:41
产品型号:RQJ0454FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0453FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:40
产品型号:RQJ0453FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0452FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:38
产品型号:RQJ0452FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0451FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:37
产品型号:RQJ0451FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0450FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:36
产品型号:RQJ0450FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0449FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:32
产品型号:RQJ0449FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel