型号：NTR4101PT1G-VB
丝印：VB2290
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：P沟道
- 额定电压：-20V
- 额定电流：-4A
- 开通电阻（RDS(ON)）：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V
- 门极-源极阈值电压范围（Vth）：-0.81V
- 门极驱动电压范围：±12V
- 封装类型：SOT23
应用简介：
NTR4101PT1G-VB是一款P沟道MOSFET，适用于多种低电压和低功率电子应用。以下是一些可能的应用领域和模块，其中这种MOSFET可能被广泛使用：
1. **电源开关**：这款MOSFET可用于便携式设备、低功耗电源和电池供电设备中的电源管理电路。它可以实现电源开关、电池保护和能源转换。
2. **低功耗电子**：NTR4101PT1G-VB适用于需要低功耗运行的电子设备，如传感器节点、嵌入式系统和物联网（IoT）设备。它有助于降低功耗，延长电池寿命。
3. **信号开关**：在各种信号开关应用中，这种MOSFET可以用作信号放大和切换电路的一部分，以控制信号传输和处理。
4. **充电保护**：NTR4101PT1G-VB还可以用于充电电路中，以实现电池充电管理和保护，确保充电过程安全和高效。
5. **驱动器和开关电路**：这款MOSFET可用于驱动器和开关电路，如电机驱动、开关控制、放大器和信号处理。
总的来说，NTR4101PT1G-VB是一款适用于低电压和低功率应用的P沟道MOSFET。它在电源管理、低功耗电子、信号开关、电池保护和驱动器等多个领域具有广泛的应用潜力。
