--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 SOP8封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:TPC8028-VB
丝印:VBA1303
品牌:VBsemi
参数:
- N沟道
- 额定电压:30V
- 最大漏电流:18A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):5mΩ @ 10V, 6.5mΩ @ 4.5V, 20Vgs
- 阈值电压(Vth):1.72V
- 封装:SOP8
应用简介:
TPC8028-VB是一种N沟道场效应晶体管,适用于多种电子应用,特别适合用于功率开关和电路控制。以下是一些可能的应用领域和模块:
1. **电源开关**:这种N沟道MOSFET适用于电源开关模块,如电源开关电路、稳压器和电源适配器。它能够有效地控制电流和电压,使其适用于电源管理应用。
2. **电机驱动**:TPC8028-VB适用于电机驱动模块,包括直流电机驱动器、电动车控制器、电机控制电路和工业自动化应用。它可以帮助实现高效的电机运行和精确的速度/力控制。
3. **开关电源**:在开关电源中,这种MOSFET可用于控制和调整电源输出,以满足各种电子设备的电能需求。它在电力转换和稳定供电方面具有关键作用。
4. **电流调整模块**:TPC8028-VB也可以用于电流调整模块,如LED驱动器、电流调整电路和电源管理单元,以确保电路输出的稳定性和精确性。
5. **高功率电子开关**:它在各种高功率电子开关应用中有广泛的用途,包括高功率电子开关、高功率电路保护和高功率信号切换。
总之,TPC8028-VB N沟道MOSFET适用于多种电子应用,包括电源管理、电机驱动、开关电源、电流调整和电子开关等领域。它有助于实现电子系统的高效率和可靠性,特别适用于功率开关和电路控制。
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