型号：SI4890BDY-T1-E3-VB
丝印：VBA1311
品牌：VBsemi
参数说明：
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：30V
- 最大电流：12A
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V, 15mΩ@4.5V
- 门源极阈值电压（Vth）范围：0.8V至2.5V
- 门源极电压（±Vgs）：20V
- 封装类型：SOP8
应用简介：
SI4890BDY-T1-E3-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有适中的电流承受能力，低漏极-源极电阻以及可变的门源极阈值电压范围。这些特性使其在多种电子领域的模块中有广泛的应用。
应用领域：
1. 电源模块：SI4890BDY-T1-E3-VB可用于低至中功率的电源开关模块，以提供电能转换和电压调节功能。适用于各种消费电子产品、通信设备和工业设备。
2. 电池保护：它也可以用于电池保护电路，确保电池在充电和放电时的安全性和有效性。适用于便携式电子设备、电动工具和无人机。
3. 信号放大：在信号放大模块中，SI4890BDY-T1-E3-VB可用于信号放大和开关功能，适用于音频放大器、通信接口和传感器接口等应用。
4. LED驱动：它还可以用于LED照明驱动电路，以提供LED的亮度控制和能源管理。适用于各种照明系统、LED显示屏和汽车照明。
总之，SI4890BDY-T1-E3-VB是一种多功能的N沟道MOSFET，适用于多个领域的电子模块，提供电源管理、信号控制和电流放大功能。
