--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 DFN8(5X6)封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:MDU1517RH-VB
丝印:VBQA1303
品牌:VBsemi
参数说明:
- 类型:N沟道
- 额定电压:30V
- 最大电流:120A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):3mΩ @ 10V, 5mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压(Vth):1.79V
- 封装类型:DFN8(5X6)
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B8/3A/wKgZomWCnT2ASYk5AADfwJvcjzo656.png)
应用简介:
MDU1517RH-VB是一款N沟道功率MOSFET,适用于多种领域模块,具有以下应用潜力:
1. 电源管理模块:这个器件的高电流承受能力和低导通电阻使其非常适合电源开关、电源调节和稳压模块,提供高效的电源管理。
2. 电机控制:在电机驱动和控制应用中,MDU1517RH-VB可用作电流控制开关,有助于实现电机的高效控制和运行。
3. 电池保护:其低阈值电压使其成为电池保护模块的理想选择,以确保电池在各种工作条件下安全运行。
4. 电源逆变器:在太阳能逆变器和电源逆变器中,MDU1517RH-VB可用于高效地转换和管理电能,确保电源系统的可靠性。
总之,MDU1517RH-VB适用于多个领域,包括电源管理、电机控制、电池保护和电源逆变器等模块。其卓越的性能参数使其成为各种应用中的理想选择。
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