型号：CES2331-VB
丝印：VB2355
品牌：VBsemi
参数：
- P沟道 MOSFET
- 额定电压：-30V
- 最大持续电流：-5.6A
- 静态导通电阻 (RDS(ON))：47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V
- 门源极电压 (Vgs)：最大±20V
- 阈值电压 (Vth)：-1V
封装：SOT23
详细参数说明：
CES2331-VB是一款P沟道MOSFET，专为低电压、中电流应用而设计。它的额定电压为-30V，可以持续承受最大-5.6A的电流。该MOSFET具有良好的导通特性，其静态导通电阻在10V电压下为47mΩ，而在4.5V电压下为56mΩ。这使其适用于需要中等功率的应用。
CES2331-VB的门源极电压（Vgs）范围广泛，最大可达±20V，具有良好的控制特性。其阈值电压（Vth）为-1V，可在不同应用中实现精确的控制。
应用简介：
CES2331-VB广泛应用于以下领域和模块：
1. **电源管理模块**：这款MOSFET适用于低电压电源管理，可用于电池管理、电源开关和充电控制等应用。
2. **信号放大器**：由于其中等电流特性，可用于放大信号，如音频放大器和信号放大电路。
3. **电源开关**：适用于各种类型的电源开关模块，如开关模式电源供应器（SMPS）。
4. **LED驱动**：可用于LED照明系统中，控制LED亮度和开关。
综上所述，CES2331-VB是一款适用于多种应用的P沟道MOSFET，适用于低电压、中电流的应用，提供中等功率和可靠性的解决方案。
