--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO251封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:CMU12N10-VB
丝印:VBFB1101M
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:N沟道
- 额定电压:100V
- 最大连续电流:15A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):115mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压(Vth):1.41V
- 封装类型:TO251
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B6/9C/wKgZomV5djiAHnBUAAGgTD4xdOU441.png)
应用简介:
CMU12N10-VB是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于需要高性能功率开关的应用。以下是一些可能的应用领域:
1. 电源管理:CMU12N10-VB可用于电源开关、电源逆变器、电源供应和稳压器等应用,以提供高效的电能控制和稳定的电压输出。
2. 电机控制:它适用于电机驱动器、直流电机控制、工业自动化设备和电机保护电路等领域,为高功率电机控制提供性能支持。
3. 汽车电子:在汽车电子中,这种MOSFET可以用于车辆电源管理、电机驱动、电动汽车充电设备等应用,提供高电压和高电流能力。
4. 高频开关电源:适用于高频开关电源和逆变器,如通信设备、太阳能逆变器、变频空调等领域。
5. 高性能电子设备:CMU12N10-VB适用于需要高电流、高电压开关的高性能电子设备和工业控制系统。
总之,CMU12N10-VB MOSFET适用于需要高功率、高电压、高电流性能的电子应用领域。这种组件有助于提高系统效率、可靠性和电能控制,因此在各种领域的模块和电路中广泛应用。
为你推荐
-
RQJ0549FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:56
产品型号:RQJ0549FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0548FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:55
产品型号:RQJ0548FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0547FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:53
产品型号:RQJ0547FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0546FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:52
产品型号:RQJ0546FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0545FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:51
产品型号:RQJ0545FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0544FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:49
产品型号:RQJ0544FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0543FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:48
产品型号:RQJ0543FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0542FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:46
产品型号:RQJ0542FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0541FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:45
产品型号:RQJ0541FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0540FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 12:01
产品型号:RQJ0540FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel