--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:ISL9N308AD3ST-VB
丝印:VBE1307
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:N沟道
- 额定电压:30V
- 最大持续电流:60A
- 静态导通电阻 (RDS(ON)):10mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压 (Vth):1.6V
- 封装:TO252
详细参数说明:
ISL9N308AD3ST-VB 是一款 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件,具有 30V 的额定电压和最大持续电流为 60A。它的 RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好,分别为 10mΩ @ 10V 和 11mΩ @ 4.5V。此外,它的阈值电压(Vth)为 1.6V。
应用简介:
ISL9N308AD3ST-VB 是一种高性能的 N 沟道 MOSFET,适用于多种电路应用,特别适用于高电流和高电压应用。它通常用于电源开关、电机控制、电源转换器、电源逆变器、电池保护电路和其他需要高性能 MOSFET 的领域的模块。TO252 封装使其适用于各种应用,如工业控制、电源放大器、电动工具、电动汽车和其他高功率应用。这种型号的 MOSFET 具有低导通电阻和高电流承受能力,可提供卓越的性能和高效率,是需要高功率开关的应用的理想选择。
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