--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 TO220封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:UTT25P10L-VB
丝印:VBM2102M
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:P沟道
- 额定电压:-100V
- 额定电流:-18A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):167mΩ @ 10V, 178mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压(Vth):-1.6V
- 封装类型:TO220
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B8/63/wKgZomWD95aABO31AAP98eSrD0A333.png)
应用简介:
UTT25P10L-VB是一款P沟道场效应晶体管(FET),具有高额定电压和电流特性,以及相对低的导通电阻。这使其适合在高功率电子应用中使用,以有效地控制电流和电压。
应用领域:
1. 电源开关模块:UTT25P10L-VB可用于电源开关电路,如开关稳压器、DC-DC转换器和功率放大器,以实现高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. 电机控制:在电机驱动电路、电机控制器和电动汽车中,这款晶体管可用于电机的启停、速度调节和效能提升。
3. 高功率放大器:在音频放大器和射频(RF)功率放大器中,UTT25P10L-VB可用于实现高功率输出和信号放大。
4. 电池管理:在电池供电系统、充电设备和便携式电子设备中,这款晶体管可用于电池保护和电池充电/放电控制。
总之,UTT25P10L-VB是一款适用于高功率电子应用的P沟道场效应晶体管,适用于电源管理、电机控制、高功率放大器和电池管理等领域。其TO220封装使其适用于各种电路设计。
为你推荐
-
RQJ0458FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:48
产品型号:RQJ0458FQDQS-VB 封装 :SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0457FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:46
产品型号:RQJ0457FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0456FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:44
产品型号:RQJ0456FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0455FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:43
产品型号:RQJ0455FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0454FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:41
产品型号:RQJ0454FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0453FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:40
产品型号:RQJ0453FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0452FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:38
产品型号:RQJ0452FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0451FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:37
产品型号:RQJ0451FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0450FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:36
产品型号:RQJ0450FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel -
RQJ0449FQDQS-VB一种2个P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管2024-06-20 14:32
产品型号:RQJ0449FQDQS-VB 封装:SOT23-6封装 沟道:2个P—Channel