型号：FNK10N25B-VB
丝印：VBC6N3010
品牌：VBsemi
参数说明：
- 2个N沟道
- 额定电压：30V
- 最大电流：8.6A
- 静态导通电阻(RDS(ON))：10mΩ@10V, 12mΩ@4.5V, 20Vgs(±V)
- 阈值电压范围(Vth)：1~3V
- 封装类型：TSSOP8
应用简介：
FNK10N25B-VB是一种双N沟道MOSFET晶体管，适用于多种电子设备和应用领域，具有出色的电压容忍度和电流处理能力。以下是一些可能的应用领域：
1. 电源模块：FNK10N25B-VB可用于电源模块，以支持中等电压和电流的应用，适用于电源开关、DC-DC变换器和逆变器设计。
2. 电机控制：该MOSFET适合用于电机控制电路，可用于家用电器、小型电动工具和低功率电动车辆的驱动系统。
3. 电池管理：这款MOSFET可用于电池管理系统，用于电池的充放电控制和保护，适用于便携式设备和低功率电子产品。
4. DC-DC变换器：在DC-DC变换器中，FNK10N25B-VB可用于电压升降和功率转换，适用于移动通信设备、嵌入式系统和电源模块。
5. 低功率电子：这款MOSFET适合用于低功率电子应用，如传感器控制、LED驱动和小型电子电路。
总之，FNK10N25B-VB是一种多功能的双N沟道MOSFET晶体管，适用于多种中等电压、中等电流应用，以提供卓越的性能和可靠性。它特别适用于需要中等功率开关和电压控制的应用。
