--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号: DTU09N03-VB
丝印: VBE1307
品牌: VBsemi
参数: N沟道, 30V, 60A, RDS(ON) 10mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V); 1.6Vth (V)
封装: TO252
详细参数说明和应用简介:
1. 沟道类型:N沟道
- 这表示这是一种N沟道MOSFET,通常用于电子设备中,特别是需要控制正电压电源的应用。
2. 额定电压 (VDS):30V
- 这是沟道MOSFET能够承受的最大电压,表示它适用于需要处理高达30V的电路。
3. 额定电流 (ID):60A
- 这是沟道MOSFET的额定电流,表示它可以处理的非常大电流负载。
4. 静态漏极-源极电阻 (RDS(ON)):
- RDS(ON)是沟道MOSFET的导通状态下的电阻。在10V的情况下,它的电阻为10mΩ,而在4.5V的情况下为11mΩ。这表明在导通状态下,它的电阻非常低,有助于减小功耗和热量。
5. 栅源电压额定值 (Vgs):20V (±V)
- 这表示栅源电压的额定范围为正负20V。栅源电压用来控制MOSFET的导通和截止状态。
6. 阈值电压 (Vth):1.6V
- 这是沟道MOSFET的阈值电压,表示需要应用在栅极上的电压,以使器件开始导通。
应用简介:
这种型号的N沟道MOSFET通常用于各种电源管理和开关应用,包括但不限于以下领域和模块:
1. 电源开关:这种MOSFET可用于电源开关模块,例如DC-DC转换器,以实现高效的电能转换。
2. 电机控制:它可用于电机驱动和控制,因为它可以处理大电流负载。
3. 电源逆变器:在太阳能逆变器和UPS(不间断电源)中,N沟道MOSFET可用于控制电能的流向。
4. 高功率放大器:在音频放大器和高频放大器中,它可以用于功率放大。
总之,这种型号的N沟道MOSFET适用于需要处理高功率和高电流负载的领域,以满足功率开关和电源管理的需求,特别是需要处理正电压电源的高功率应用。由于其低漏极-源极电阻和高额定电流,适用于高功率应用。
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