型号：AP4525GEH-VB
丝印：VBE5415
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：N+P沟道
- 额定电压：±40V
- 最大持续电流：50A / -50A
- 静态导通电阻 (RDS(ON))：15mΩ @ 10V, 18.75mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压 (Vth)：±1V
- 封装：TO252-5
详细参数说明：
AP4525GEH-VB 是一款具有 N+P 沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，可同时操控正负电压，具有±40V 的额定电压和最大持续电流为50A / -50A。它的 RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好，分别为 15mΩ @ 10V 和 18.75mΩ @ 4.5V。阈值电压 (Vth) 为±1V。
应用简介：
AP4525GEH-VB 通常用于电源管理、电源开关和电源转换器应用中，特别适用于需要同时控制正负电压的电路。具有 N+P 沟道的特性使其非常适合用于电源开关、电源逆变器、电源转换器、电机控制、电池保护电路等各种领域的模块。TO252-5 封装使其易于集成到各种电子设备和电路中。这种型号的 MOSFET 具有低导通电阻和高电流承受能力，可提供卓越的性能和高效率，适用于需要高功率开关的应用，尤其是需要同时控制正负电压的电路设计。
