--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号:30N10-VB
丝印:VBE1104N
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:N沟道
- 额定电压:100V
- 额定电流:40A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):30mΩ @ 10V, 31mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压(Vth):1.8V
- 封装类型:TO252
应用简介:
30N10-VB是一款N沟道场效应晶体管(FET),具有高电压和高电流特性。它适用于需要高性能电流控制的电子应用。TO252封装适合各种电路设计。
应用领域:
1. 电源开关模块:30N10-VB可用于电源开关电路,如开关稳压器、DC-DC转换器和功率放大器,以实现高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. 电机控制:在电机驱动电路和电机控制器中,这款晶体管可用于电机的启停、速度调节和效能提升。
3. 电源因数校正:在电源因数校正电路中,30N10-VB可用于改善电源因数,降低谐波失真。
4. 电路保护:在电路保护器件中,这款N沟道场效应晶体管可用于过电流保护、短路保护和电压保护,确保电路的安全运行。
总之,30N10-VB是一款适用于高电压和高电流电子应用的N沟道场效应晶体管,适用于电源管理、电机控制、电源因数校正和电路保护等领域。其TO252封装使其适用于各种电路设计。
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