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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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STN2NF10-VB场效应管一款N沟道SOT223封装的晶体管

型号: STN2NF10-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道 N沟道
  • 封装 SOT223封装

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号: STN2NF10-VB
丝印: VBJ1101M
品牌: VBsemi
参数: SOT223;N—Channel沟道,100V;5A;RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;
封装: SOT223

**详细参数说明:**
- **型号**: STN2NF10-VB
- **丝印**: VBJ1101M
- **品牌**: VBsemi
- **参数**: 
 - 封装: SOT223
 - 沟道类型: N-Channel
 - 额定电压: 100V
 - 额定电流: 5A
 - 开态电阻 (RDS(ON)): 100mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
 - 门源极阈值电压 (Vth): 2~4V

**应用简介:**
STN2NF10-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于多种电子应用,特别在以下领域和对应的模块中表现卓越:

1. **电源开关模块:**
  由于其N沟道特性,适用于电源开关模块,可实现可靠的电源开关控制。

2. **电源逆变器:**
  在电源逆变器中具有良好的性能,可用于太阳能逆变器和其他可再生能源系统。

3. **LED照明驱动:**
  适用于LED照明系统,能够提供可靠的功率调节和电源控制。

4. **电源管理系统:**
  由于其低开态电阻和高电流能力,适用于电源管理系统,确保高效的电能转换和分配。

**使用注意事项:**
- 请按照产品规格书中的最大额定值使用电压和电流。
- 确保在指定的工作温度范围内使用,以确保性能和可靠性。
- 注意门源极阈值电压的范围,确保在设计中考虑适当的电压驱动。

请注意,以上建议仅为参考,具体应用需根据项目需求和设计要求进行调整。

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