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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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50N03-TO251-VB场效应管一款N沟道TO251封装的晶体管

型号: 50N03-TO251-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道 N沟道
  • 封装 TO251封装

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**VBsemi 50N03-TO251-VB 产品详细参数说明与应用简介**

**参数说明:**
- **型号:** 50N03-TO251-VB
- **丝印:** VBFB1311
- **品牌:** VBsemi
- **封装:** TO251
- **通道类型:** N—Channel沟道
- **工作电压:** 30V
- **最大电流:** 70A
- **导通电阻:** RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压:** Vth=1.92V

**应用简介:**
VBsemi的50N03-TO251-VB是一款TO251封装的N沟道场效应管,适用于各种高电流应用场景。该器件在功率电子领域有广泛的应用,以提供高效、可靠的电流控制。

**主要应用领域及模块:**
1. **电源模块:** 50N03-TO251-VB可用于电源模块,作为电源开关或电源调整器件,以提供稳定的电源输出。

2. **电机驱动模块:** 由于器件具有较高的电流承受能力,适用于电机驱动模块,能够在电机控制中提供可靠的电流支持。

3. **电源逆变器:** 在电源逆变器中,50N03-TO251-VB可用于实现直流到交流的转换,是逆变电路中的关键组件。

**作用:**
- **电流控制:** 50N03-TO251-VB可作为电流控制的关键元件,通过调整其导通电阻来实现对电路中电流的控制。

- **功率调整:** 适用于功率电子模块,可用于调整电路中的功率,满足不同应用场景的需求。

**使用注意事项:**
1. **散热设计:** 在高电流应用中,需要合理设计散热系统,确保器件工作在适当的温度范围内,以维持其性能和寿命。
  
2. **电压与电流限制:** 注意器件的最大工作电压和电流,不要超过规定的参数范围,以防止损坏器件。

3. **防静电措施:** 在搬运和使用过程中,请采取防静电措施,避免静电对器件的影响。

4. **参考数据手册:** 在设计电路时,请仔细阅读器件的数据手册,确保按照厂家提供的建议来设计和使用。

综上所述,50N03-TO251-VB是一款适用于高电流应用场景的N沟道场效应管,广泛应用于电源模块、电机驱动模块以及电源逆变器等领域。在使用时,请遵循相关的使用注意事项,以确保器件在各种应用场景下的可靠性和性能。

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