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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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80N06-CMB80N06-VB场效应管一款N沟道TO263封装的晶体管

型号: 80N06-CMB80N06-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道 N沟道
  • 封装 TO263封装

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

型号: 80N06-CMB80N06-VB
丝印: VBL1603
品牌: VBsemi
参数:
- 沟道类型: N—Channel
- 额定电压: 60V
- 额定电流: 210A
- 导通电阻 (RDS(ON)): 3.2mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Vth): 2.9V
- 封装: TO263

应用简介:
VBsemi的80N06-CMB80N06-VB是一款高性能N—Channel沟道场效应晶体管,适用于高电流、高功率的应用场景,广泛应用于各种电源系统和功率模块,提供高效的功率控制和开关性能。

**主要特点:**
1. 高额定电压,适用于高电压环境,额定电压为60V。
2. 高额定电流,适用于大功率应用,额定电流为210A。
3. 低导通电阻,提供高效率的电源控制性能。
4. 宽工作电压范围,适用于多种电源系统。

**应用领域和模块:**
1. **电源开关模块:** 用于构建高性能电源开关模块,可应用于工控电源、服务器电源等领域。
2. **直流-直流转换器:** 在高电流直流转换器中,提供高效率的功率转换,适用于电动车电源、电源逆变器等场景。
3. **电机驱动和控制系统:** 适用于高电流电机驱动模块,如工业电机控制、电动工具等领域。
4. **电源逆变器:** 适用于太阳能逆变器、UPS电源等高功率逆变器应用。

**使用注意事项:**
1. 在设计中请确保正确连接器件,避免反接和过载情况,以防损坏器件。
2. 请按照数据手册提供的最大额定值使用电压和电流,以确保稳定可靠的性能。
3. 注意适当的散热措施,以维持器件在工作过程中的合适温度。
4. 确保器件操作在规定的环境条件下,避免超过温度和电压的极限值。

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