型号: 40N03GP-VB
丝印: VBM1310
品牌: VBsemi
参数:
- 沟道类型: N—Channel
- 额定电压: 30V
- 额定电流: 80A
- 导通电阻 (RDS(ON)): 6mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Vth): 2V
- 封装: TO220
应用简介:
VBsemi的40N03GP-VB是一款高性能N—Channel沟道场效应晶体管，适用于中等电压、大电流的应用场景，广泛应用于各种电子系统和功率模块，提供高效的功率控制和开关性能。
**主要特点:**
1. 适用于中等电压环境，额定电压为30V。
2. 高额定电流，适用于大功率应用，额定电流为80A。
3. 低导通电阻，提供高效率的电源控制性能。
4. TO220封装，适用于通用电路设计。
**应用领域和模块:**
1. **电源开关模块：** 用于构建高性能电源开关模块，可应用于通信设备、服务器电源等领域。
2. **电机驱动和控制系统：** 适用于大功率电机驱动模块，如电动工具、小型电动车等领域。
3. **电源逆变器：** 用于构建逆变器，适用于太阳能逆变器、UPS电源等高功率逆变器应用。
4. **电源调节器：** 在电源调节器中提供高效率的功率控制，适用于各种电子设备。
**使用注意事项:**
1. 在设计中请确保正确连接器件，避免反接和过载情况，以防损坏器件。
2. 请按照数据手册提供的最大额定值使用电压和电流，以确保稳定可靠的性能。
3. 注意适当的散热措施，以维持器件在工作过程中的合适温度。
4. 确保器件操作在规定的环境条件下，避免超过温度和电压的极限值。
