--- 产品参数 ---
- 沟道 N沟道
- 封装 TO252封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
详细参数说明:
- 型号: IRFR3411PBF-VB
- 丝印: VBE1104N
- 品牌: VBsemi
- 封装: TO252
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 100V
- 额定电流: 40A
- 导通电阻: RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 1.8V
应用简介:
IRFR3411PBF-VB是一款TO252封装的N-Channel MOSFET,适用于中功率、中电压的开关电源和功率放大器设计。
使用领域及作用:
1. 电源模块:用于中功率开关电源、直流-直流(DC-DC)转换器等电源系统,提供高效、可靠的电能转换。
2. 电机控制:适用于电机驱动电路,支持中功率和高效率的电机控制,广泛应用于工业和汽车电动化领域。
3. 电动工具和电动车:在需要中功率开关的电动工具和电动车中发挥作用,提高设备性能。
4. 电力电子:应用于中功率电力电子系统,如变频器和电力调制器。
使用注意事项:
1. 严格遵循产品规格书中的电气参数和封装信息。
2. 在设计中考虑散热,确保器件工作在安全的温度范围内。
3. 注意输入和输出电压的匹配,防止超过器件的最大额定值。
4. 确保适当的电源和地连接,以确保正常工作和防止损坏。
5. 在使用过程中遵循相关的ESD(静电放电)防护措施,以防止损坏敏感器件。
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