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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NUD3160LT1G-VB一款N沟道SOT23封装MOSFET应用分析

型号: NUD3160LT1G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道 N沟道
  • 封装 SOT23封装

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**详细参数说明:**
- 产品型号: NUD3160LT1G-VB
- 丝印: VB162K
- 品牌: VBsemi
- 封装: SOT23
- 沟道类型: N—Channel
- 额定电压: 60V
- 最大电流: 0.3A
- 开启电阻: RDS(ON) = 2800mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 1.6V

**应用简介:**
该器件适用于各种模块,特别是需要N—Channel沟道的低功耗应用。具体应用包括但不限于电源开关、信号开关和低功耗电子设备。

**主要应用领域模块:**
1. 电源开关模块
2. 信号开关模块
3. 低功耗电子设备模块

**作用:**
- 电源开关模块:提供可靠的电源开关控制,适用于低电压应用。
- 信号开关模块:实现信号的高效切换和放大。
- 低功耗电子设备模块:提供低功耗的电流控制,延长电池寿命。

**使用注意事项:**
1. 请确保在规定的电压范围内操作。
2. 避免超过最大电流限制。
3. 在设计中考虑散热,以确保器件正常工作温度。
4. 遵循厂商提供的应用电路设计建议。
5. 注意防静电措施,以防止损坏器件。

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