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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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RSD200N10TL-VB一款N沟道TO252封装MOSFET应用分析

型号: RSD200N10TL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道 N沟道
  • 封装 TO252封装

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**产品型号:** RSD200N10TL-VB

**丝印:** VBE1104N

**品牌:** VBsemi

**参数:**
- 封装:TO252
- 沟道类型:N-Channel
- 额定电压:100V
- 额定电流:40A
- 导通电阻:RDS(ON)=30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth=1.8V

**应用简介:**
适用于多个领域模块,具体作用包括:
1. **电源管理:** 作为N-Channel功率开关,支持电源管理系统,适用于各种电源模块。
2. **电机控制:** 在电机驱动模块中,通过高电流和低导通电阻,实现精确的电机控制。
3. **电流逆变器:** 用于构建电流逆变电路,适用于多种电力应用。

**使用注意事项:**
1. 请确保操作在额定电压和电流范围内,避免超过规定数值。
2. TO252封装需要考虑适当的散热和布局设计,以保持正常工作温度。
3. 在设计中考虑阈值电压Vth=1.8V,确保适当的信号电平。
4. 根据具体应用场景采取适当的保护措施,以应对潜在的过电流和过压情况。

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