--- 产品参数 ---
- 沟道 P沟道
- 封装 SOT23封装
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**详细参数说明:**
- 产品型号: CES2313-VB
- 丝印: VB2355
- 品牌: VBsemi
- 封装: SOT23
- 沟道类型: P—Channel
- 额定电压: -30V
- 最大电流: -5.6A
- 开启电阻: RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = -1V
**应用简介:**
该器件适用于需要P—Channel沟道的低电压、中电流应用。主要应用于电源开关、信号开关和功率放大器等领域。
**主要应用领域模块:**
1. 电源开关模块
2. 信号开关模块
3. 功率放大器模块
**作用:**
- 电源开关模块:提供可靠的低电压电源开关控制。
- 信号开关模块:实现信号的高效切换和放大。
- 功率放大器模块:在低电压条件下提供功率放大。
**使用注意事项:**
1. 请确保在规定的电压范围内操作。
2. 避免超过最大电流限制。
3. 在设计中考虑散热,以确保器件正常工作温度。
4. 遵循厂商提供的应用电路设计建议。
5. 注意防静电措施,以防止损坏器件。
为你推荐
-
50NF25-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 11:00
产品型号:50NF25-VB TO263 封装:TO263 沟道:Single-N -
50NF25-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:58
产品型号:50NF25-VB TO220 封装:TO220 沟道:Single-N -
50N25M5-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:57
产品型号:50N25M5-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
50N10-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:54
产品型号:50N10-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
50N10-VB TO252一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:53
产品型号:50N10-VB TO252 封装:TO252 沟道:Single-N -
50N10-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:48
产品型号:50N10-VB TO220 封装:TO220 沟道:Single-N -
50N06-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:45
产品型号:50N06-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
50N06-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:43
产品型号:50N06-VB TO263 封装:TO263 沟道:Single-N -
50N06-VB TO220F一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:37
产品型号:50N06-VB TO220F 封装:TO220F 沟道:Single-N -
50N06L-TN3-R-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-14 10:36
产品型号:50N06L-TN3-R-VB 封装:TO252 沟道:Single-N