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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IRFR3418TRPBF-VB一款N沟道TO252封装MOSFET应用分析

型号: IRFR3418TRPBF
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 沟道 N沟道
  • 封装 TO252封装

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

**IRFR3418TRPBF-VB**

**丝印:** VBE1806  
**品牌:** VBsemi  
**参数:** TO252;N—Channel沟道, 80V;110A;RDS(ON)=5.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V;Vth=2.89V  

**封装:** TO252  

**详细参数说明:**  
- **沟道类型:** N—Channel  
- **最大承受电压:** 80V  
- **最大电流:** 110A  
- **导通电阻:** 5.5mΩ(在VGS=10V时),4mΩ(在VGS=20V时)  
- **阈值电压:** 2.89V  

**应用简介:**  
该器件适用于需要高电压和大电流处理的模块,提供可靠的 N 沟道功率开关功能。主要应用领域包括但不限于功率放大器、开关电源、电机驱动器等。

**作用:**  
- 提供高效的 N 沟道功率开关功能。
- 适用于需要高电流和高频率操作的应用。

**使用领域模块:**
1. **功率放大器模块:** 在音频和射频放大器中,可用于提供高效的功率放大。
2. **开关电源模块:** 用于构建高效的开关电源,稳定输出电压。
3. **电机驱动器模块:** 适用于驱动电机,提供可靠的功率开关控制。

**使用注意事项:**
1. **电压和电流限制:** 不要超过规定的最大电压和电流。
2. **散热:** 在高功率应用中,确保有效的散热以防止过热。
3. **静电防护:** 在处理和安装时采取防静电措施,以免损坏器件。

如有需要进一步了解或有其他问题,请告诉我。

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